jenis memori internal

indragonol.com

Jenis – Jenis Memori Internal

Pengertian RAM

Random Access Memory disingkat dengan RAM. Memory penyimpanan sementara yang bersifat acak, biasanya disebut juga dengan memory kerja. Pada memory ini karena disimpan sementara (volatile), maka apabila komputer tidak mendapatkan daya (off), maka data yang disimpan pada memori ini akan hilang.

Pengertian EDO RAM

Extended Data Output RAM, Disingkat dengan EDO RAM. Jenis memori yang dapat menyimpan dan mengambil isi memori secara simultan. Jenis memor ini banyak menggantikan primary memori yang ada pada PC terdahulu yaitu FPM (Fast Page Memory) RAM. Karena dapat menyimpan dan membaca secara simultan, maka kecepatan baca tulis pada EDO RAM ini dapat lebih cepat.

Pengertian SD RAM

Synchronous Dynamic Random Access Memory Disingkat dengan SDRAM. Modul memory dengan clock speed yang lebih tingi daripada SIMM atau EDO. Biasa dipergunakan pada processor-processor generasi terbaru. Modul ini biasa dijual dengan spesifikasi bus clock tertentu, misalnya 32MB/133Mhz, artinya SDRAM dg kapasitas sebesar 32MB yg bekerja pd clock 133Mhz. Bus clock yang tinggi digunakan apabila SDRAM dipasang pada PC dengan processor generasi baru yang bekerja juga pada clock yang tinggi, namun tidak berpengaruh pada mesin dengan processor generasi lama dengan clock yang rendah. SDRAM dikemas dalam modul 172 pin.

Pengertian DDR RAM

DDR (Double Data Rate) sebenarnya adalah nama untuk sebuah tipe yang menggunakan teknologi double clock cycle. Di dalam clock cycle juga terdapat apa yang disebut dengan trigger. Trigger di sini mirip seperti kata aslinya, yaitu ketika teraktivasi, data dari RAM atau VGA ditransfer ke processor untuk diproses lebih lanjut.

Dalam teknologi sebelum DDR (SD = Synchronous Dynamic), setiap clock naik ATAU turun, trigger untuk data transfer menyala. Jadi kalau ditetapkan trigger aktiv ketika turun, berarti trigger hanya akan teraktivasi ketika sinyal clock turun. Sebaliknya, jika ditetapkan trigger aktiv ketika naik, berarti trigger hanya akan teraktivasi ketika sinyal clock naik.

Dalam teknologi DDR, setiap clock naik DAN turun, trigger untuk data transfer menyala. Jadi setiap ada perubahan dari 1 ke 0 dan dari 0 ke 1, trigger data transfer menyala.
Sudah terlihat perbedaan awal antara SD dengan DDR.

Pengembangan lainnya dari DDR adalah DDR2 dan DDR3. Pada DDR2, clock cycle diperbanyak. Jadi jika 1 detik pada DDR memiliki 100 clock cycle (100 sinyal naik turun) atau artinya frekuensinya 100Hz.. maka pada DDR2 frekuensinya menjadi 2 kali lipatnya, yaitu 200 Hz atau 200 naik-turun setiap 1 detik. Dengan trigger sama seperti DDR. Jadi DDR2 adalah hampir tepat 2 kali lipat lebih cepat dari DDR.
Lihat saja spesifikasi pada RAM DDR dan RAM DDR2, RAM DDR memiliki range frekuensi 200 Hz – 600 Hz. Sedangkan RAM DDR2 range frekuensinya adalah 400 Hz – 1066 Hz. Hampir 2 kali lipat..

Teknologi DDR3 sedikit berbeda.. Tidak lagi fokus pada clock cycle dan trigger, tetapi pada efisiensi. DDR3 menggunakan listrik yang lebih sedikit dari DDR2, yaitu 1.5v (DDR2 menggunakan 1.8v).
Teknologi DDR3 mendukung “High Precision Calibration Resistors” dan “Fly-by Command Address Control Bus With On-DIMM Termination”, sehingga memiliki fitur Read-Write Calibration. Memang frekuensi DDR3 bertambah sampai 800 Hz – 1600 Hz. Tapi dilihat dari tambahan² fitur yang ada, DDR3 lebih memilih mengefisienkan pemakaian..

Pengertian RDRAM (Rambus Dynamic RAM)

RDRAM adalah sebuah memori berkecepatan tinggi, digunaan untuk mendukung prosesor Pentium 4.tipe RDRAM menggunakan slot RIMM,yang mirip dengan slot SDRAM.Sebuah teknologi chip dinamis dari Rambus, Inc. Produk ini memiliki lisensi khusus untuk teknologi semikonduktor yang memproduksi chip.

Pada 1995 diperkenalkan chip dasar dengan kecepatan 600 MBytes/sec. Pada 1997, Concurrent RDRAM mengalami peningkatan kecepatan hingga 700 MBps, dan pada 1998, Direct RDRAM mencapai kecepatan 1,6 GBps. Concurrent RDRAM banyak dipergunakan pada video games, sementara Direct RDRAM biasa dipakai pada komputer.

Pengertian SRAM (Static RAM)

Perusahaan Samsung Electronics telah mengembangkan chip static random access memory (SRAM) tercepat sekaligus berkapasitas tinggi pertama di dunia untuk kebutuhan sistem jaringan. Chip ini diberi nama quad data rate (QDR) II SRAM.

Berkecepatan 72 megabit, chip ini nantinya diharapkan akan menjadi perangkat memori untuk router (alat untuk mengatur data antarjaringan komputer, Red) dan switches berkecepatan tinggi. Chip ini diklaim Samsung mampu memproses empat aliran data secara simultan, mampu menangani data yang setara dengan 9.400 lembar koran per detiknya. Ini berarti 20 persen lebih cepat daripada QDR II SRAM konvensional. Chip SRAM telah digunakan secara luas untuk berbagai produk elektronik karena dapat menyimpan data, bahkan setelah alat elektronik tersebut dimatikan. Samsung mengklaim bahwa tahun lalu, mereka menguasai 33 persen pasar SRAM. (afp/bag)

SRAM mampu melakukan operasi akses data lebih cepat dibandingkan DRAM. Namun harga SRAM lebih mahal, karena memerlukan komponen transistor lebih banyak (4-6 transistor dalam 1 cell memori) ketimbang DRAM (1 transistor dalam 1 cell memori).

MRAM (MAGNETIK RAM)

Jenis RAM ini disebut dengan Magnetic RAM (MRAM). Keunggulannya yaitu mampu melakukan instant on start up hingga dapat melakukan proses start up yang lebih cepat, mirip dengan proses yang terjadi pada televisi atau radio. Selain itu memori jenis ini juga mampu menampung lebih banyak data, mengakses lebih cepat dan rendah dalam pemakaian daya

Tidak hanya dari jenis memorinya saja yang berkembang, dari faktor kapasitasnya juga mengalami peningkatan. Terutama sejak dimulainya teknologi seluler 2G, terjadi perubahan terhadap kebutuhan memori, yaitu meningkat dari 4 MB Flash/512 KB SRAM menjadi 32 MB Flash/4MB. Kecanggihan teknologi G apalagi 4G juga akan diikuti dengan kebutuhan terhadap kapasitas memori yang lebih tinggi. PDA phone contohnya, dapat memilik memori berkapasitas 128 MB Flash/128 MB DRAM. Bahkan diprediksikan mulai tahun 2002 sampai dengan tahun 2009 akan terjadi perubahan kapasitas memori mulai dari 128 MB, 256 MB, 512 MB, 1024 MB bahkan sampai 2048 MB dalam sebuah perngkat semungil ponsel.

Pengertian Read Only Memory (ROM)

Jenis memori ini datanya hanya bisa dibaca dan tidak bisa ditulis secara berulang-ulang. Memori ini berjenis non-volatile, artinya data yang disimpan tidak mudah menguap (hilang) walaupun catu dayanya dimatikan. Karena itu memori ini biasa digunakan untuk menyimpan program utama dari suatu sistem. Jenis ini tidak dapat diprogram ulang.

Pengrtian PROM (Programmable ROM)

Memori yang diprogram dengan cara memutuskan hubungan sekering internal. PROM hanya dapat diprogram satu kali dan tidak dapat diprogram ulang.

EPROM EPROM (Erasable PROM)

yang diprogram dengan cara mengisi gerbang tersekat dari piranti. Dihapus dengan cara pemberian sinar ultra violet melalui jendela pada bagian atas IC. Setelah dihapus dapat diprogram ulang.

masukan alamat, data keluaran, dan masukan kontrol. Masukan alamat digunakan untuk memilih data yang tersimpan pada lokasi EPROM. Banyaknya lokasi yang tersedia adalah 2 pangkat n alamat. Sehingga untuk EPROM yang terdiri dari 10 bit alamat, akan mempunyai 2 pangkat 10 = 1024 lokasi yang dapat teralamati. Satu lokasi alamat didalam EPROM dapat menyimpan 8 bit data. Setiap bit data yang tersimpan didalam EPROM akan berbentuk bilangan biner 1 atau 0. Untuk mengaktifkan EPROM harus diperhatikan pena OE dan CE. OE ( Output Enable) jika berlogic 0 maka keluaran D0 s/d D7 akan aktif.

Jika OE berlogic 1 maka keluaran D0 s/d D7 akan Hi-Z (Hi-Z atau High Impedansi merupakan keadaan yang menandakan keluaran berada dalam keadaan tidak aktif). CE ( Chip Enable) harus berlogic 0 untuk mengaktifkan EPROM. Jika CE berlogic 1 keluaran akan Hi-Z dan tidak terpengaruh oleh kondisi sinyal OE.

Pengertian EEPROM (Electrically EPROM)

sama saja dengan EPROM, hanya cara penghapusannya dilakukan secara listrik.